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原仙童半导体执行副总裁Izak Bencuya 简介

发布于:2021-01-25 被浏览:85次

经验Experience

 

Izak Bencuya本秋亚博士为功率半导体业界知名技术工艺专家,及成功上市公司经营管理者. 成功带领Fairchild仙童半导体高层与1998年在纳斯达克上市,并成为全球功率半导体最大供应商. 拥有22项专利发明, 包含IGBTMOSFETSIT专利.

 

Director董事局董事

Exar Corporation

2009 – 2017

上市公司Exar董事;主导iML部门切割剥离以1.36亿美元出售并使公司市值从2.5亿美元翻倍至5亿美元,最终于2017年以6.61亿美元与上市公司MaxLinear合并

· 

CEO首席执行官

DEEYA ENERGY

2008- 2010

 

新能源公司CEO, 筹集了3000万美元的风险投资,针对发展中国家(如印度和中非国家)的无线电信市场产品的市场定位策略。

 

 

执行副总裁兼总经理Executive Vice President & G.M.

ON Semi 安森美半导体/Fairchild 仙童半导体

1994 – 2007

 

原美国上市公司Fairchild Semiconductor仙童半导体总经理原韩国仙童半导体董事(即被收购前的韩国三星半导体事业部). 在美国National Semi国家半导体公司创建功率部门从零开始并迅速成长至$900M营业额,带领Fairchild高层管理团队从National分拆,于1998年重新在纳斯达克完成二次上市,随即成功完成对韩国三星功率半导体部门的收购. 于2007年退休.

· 

技术部门经理Manager

GTE Lab

Dates EmployedJan 1991 – Jan 1994

Employment Duration3 yrs 1 mo

 

开始担任高级工艺设计工程师,以设计和开发在高电压和高电流下工作的新型功率MOS晶体管,IGBT和光电设备。

职责包括设备布局,过程集成,电气特性描述以及设备物理和过程的理论建模。

1991年,实施了一种非常新颖的沟槽MOSFET技术,从而为笔记本电脑,硬盘驱动器和手机的电源应用创造了MOSFET的新市场。

该业务在三年内增长到了1亿美元,并在MOSFET行业中创造了一个新市场,到2007年,该市场增长到了超过3B美元。

· 成为工程组和营销组的负责人,随着其他供应商跳入市场,市场增长更快,从而发展了这一业务。


战略发展部门经理Strategic Business Development Manager

SEMITEST INC

1989 – Jan 1991

 

SEMITEST这家初创公司开发了非常复杂的晶圆表面质量监测设备的新市场。

拜访了全球数十家晶圆厂,并将这种非接触式测试程序确立为行业标准。

 

·

技术发展部门经理Technology Development Manager

VishaSiliconix

1983 – Jan 1988

 

担任工艺设计工程师,以设计和开发在高电压和高电流下工作的新型功率MOS晶体管,并启动公司首个IGBT创新研发及申请多个独特技术领先专利。在全球第一座6英寸晶园厂实施了一种非常新颖的沟槽MOSFET技术,第一个IDM成功进入MOSFETIGBT量产公司。与陈建璋先生共同开发新工艺制成并设计出多款量产MSOFET功率器件.

 

 

 

Education

· 

加州伯克莱大学University of California, Berkeley

企业管理硕士学位M.B.A

Technology and Marketing Strategy

1994

 

· 

美国耶鲁大学Yale University

工程应用科学博士学位Ph.D.

Engineering and Applied Science

1976 – 1981

 

· 

土耳其大学Bogazici University

电机工程学士学位B.S. Electrical Engineering

1972 – 1976

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